El fabricante de soluciones de almacenamiento Western Digital ha presentado una nueva unidad flash incorporada (EFD) de alta velocidad y capacidad para dispositivos portátiles y móviles de gama alta. La unidad se denomina iNAND MC EU511, está basada en memoria NAND 3D de 96 capas y es compatible con las especificaciones de “Gear 4/2 Lane” del estándar UFS 3.0. Esta nueva versión de sexta generación de memoria de WD alcanza velocidades de escritura secuencial turbo de hasta 750MB/s, permitiendo, por ejemplo, la carga de películas de 2 horas en solo 3,6 segundos.
Según WD, las nuevas memorias son adecuadas para la nueva generación de dispositivos 5G ya que requiere velocidades de transferencias ultra rápidas y baja latencia, y los formatos e interfaces de datos de alta velocidad, como UFS 3.0, va a permitir transformar no sólo los smartphones sino los dispositivos IoT.
Según WD, la unidad iNAND MC EU511 tiene una velocidad de escritura turbo secuencial de hasta 750 MB/s y una velocidad de lectura secuencial que es casi el doble que su predecesora. Con un mayor rendimiento de lectura / escritura aleatoria y capacidades que van desde 64 GB a 512 GB.
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