Pese al cambio que han supuesto los sistemas de almacenamiento flash, siguen sin estar a la altura de los discos duros tradicionales. IBM sigue apostando por nuevas tecnologías que, podrían revolucionar la industria del almacenamiento intentando superar la rapidez de las memorias RAM. El proyecto de IBM permitiría tener un tipo de memoria no volátil, con ciclos de vida más longevos y con la rapidez de la RAM, con lo que se podría crear memoria cache extremadamente rápida para un smartphone, o almacenar todo el sistema operativo en PCM.
Ya hay varios proyectos que buscan, precisamente, nuevos métodos para almacenar datos, que sean rápidos, asequibles, eficientes y de gran capacidad: discos de cuarzo, el ADN sintético de Microsoft, así como la memoria 3D Xpoint de Intel.
El sistema de IBM almacena datos aplicando un voltaje alto que posteriormente se pueden leer de nuevo aplicando otro cambio en ese voltaje: cuando es alto, el estado es «1», y cuando es bajo, es «0», de forma que los datos se leen y escriben de forma similar a un disco tradicional, pero a mayor velocidad. IBM ha descubierto que, al calentar los materiales, se puede acceder a más estados y no sólo «on» y «off», por lo que se podría dar seguimiento y codificar estas variantes, lo que permite leer y almacenar hasta 3 bits de datos por celda.
Esto permite tener memorias hasta 50 veces más rápidas que el almacenamiento Flash, incluso igualando la rapidez de la RAM, pero no su precio, además de que podrá soportar más de 10.000 ciclos de grabación, es decir, tres veces más que la Flash, y no es volátil, por lo que no perderá datos. El proyecto está en fase de desarrollo pero en IBM están convencidos de que esto podría significar una transformación radical en el uso de la memoria para almacenamiento de datos.
